薄膜沉積系統(tǒng)
 

Nanochrome TM II 采用了垂直“翻蓋式”箱體設(shè)計(jì)，這使得試驗(yàn)箱的所有部件都很方便操作。水冷卻/加熱的痕跡（traces）加快抽水次數(shù)。在操作的同時(shí)，您可用潛望鏡裝置清晰地觀察物理氣相沉積的來(lái)源。試驗(yàn)箱有幾個(gè)光學(xué)路徑，可以觀察薄膜增厚的過(guò)程，能確保實(shí)時(shí)測(cè)量以及控制光學(xué)涂層。
多重處理器選項(xiàng)
硬涂層 用于金屬或離子輔助介質(zhì)，金屬的磁控濺射，或通過(guò)DC或AC反應(yīng)濺射脈沖射頻，電子束蒸發(fā)的，離子協(xié)助輕松配置到系統(tǒng)中。
低溫運(yùn)行： 潛在的熱核聚變會(huì)限制沉積，許多薄膜冷卻選項(xiàng)可以幫您增加沉積速率。在沉積薄膜時(shí)，使用Intlvac離子束基板臺(tái)直接冷卻基板。 隨著冷卻液直接在基板下循環(huán)，單或雙軸自轉(zhuǎn)運(yùn)轉(zhuǎn)。 高溫選件 紅外加熱元件，石英燈陣列和氧氣耐加熱元件可供選擇，以實(shí)現(xiàn)高達(dá)800°C溫度。
用于輔助、反應(yīng)性運(yùn)行和預(yù)洗滌的離子源
Intlvac為NCII提供種類繁多的離子源。高光束電流和低能量非常適合薄膜致密，清潔，或輔助大的區(qū)域。我們提供的新一代的光源是您涂層的理想選擇。終端通道柵格源，與高達(dá)10安培的離子電流量，在能量低于300eV 時(shí)組成柵格。 提供高達(dá)一安培RF源和100-1000eV可選擇離子能。

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